Os transistores de efeito JFET ou de campo são dispositivos elétricos usados como amplificadores ou interruptores e se tornaram parte integrante dos chips de memória. JFET e MOSFET são dois tipos de FET que funcionam com base no princípio dos transistores de junção, mas são bastante diferentes um do outro.
JFET vs MOSFET
A diferença entre JFET e MOSTFET é que a corrente através do JFET é canalizada pelo campo elétrico através da junção PN polarizada reversa, enquanto no MOSFET a condutividade é devida ao campo elétrico transversal no isolador de óxido de metal embutido no semicondutor.
A próxima diferença fundamental entre os dois é que o JFET permite menos impedância de entrada do que o MOSFET e, como o último, que tem um isolador embutido, permite menos vazamento de corrente.
JFET, que normalmente é denominado como "dispositivo LIGADO", é uma ferramenta do tipo de esgotamento que tem baixa resistência de drenagem, enquanto seu MOSFET sucessor é denominado normalmente como "dispositivo DESLIGADO" que pode funcionar tanto no modo de esgotamento quanto no modo aprimorado e tem alta resistência de drenagem.
Tabela de comparação entre JFET e MOSFET (na forma tabular)
| Parâmetro de Comparação | JFET | MOSFET |
|---|---|---|
| Impedância de entrada | Impedância de entrada baixa de cerca de 108 Ω | Alta impedância de entrada de cerca de 1010 a 1015 Ω |
| Resistência de drenagem | Baixa resistência de drenagem | Alta resistência à drenagem |
| Fácil de fabricar | É mais difícil de fabricar do que MOSFET | É comparativamente mais fácil de montar do que JFET |
| Preço | Custo inferior ao MOSFET | Mais caro que JFET |
| Modo de Funcionamento | Tipo de esgotamento | Tipo de esgotamento e aprimoramento |
O que é JFET?
JFET, que é uma abreviatura de Junction Gate Field Effect Transistor, é um dispositivo unipolar que basicamente tem três partes, uma fonte, um dreno e um portão. É usado principalmente em amplificadores, resistores e interruptores.
É um tipo básico de FET que funciona quando uma pequena tensão é aplicada ao terminal da porta. Essa pequena tensão permite que a corrente flua da fonte para o dreno e além.
A tensão aplicada na porta (VGS) controla a largura da zona de depleção e, portanto, a quantidade de corrente que flui através do semicondutor. Conseqüentemente, a corrente de dreno que flui através do canal é proporcional à tensão aplicada.
À medida que a tensão negativa no terminal do gate aumenta, a zona de depleção se alarga e a corrente menor flui através do canal e, finalmente, chega-se a um estágio onde a zona de depleção interrompe o fluxo de corrente completamente.
O JFET é ainda classificado em JFET de Canal N, onde o canal que conecta o dreno e a fonte é fortemente dopado com elétrons e o JFET de Canal P, onde o canal é rico em orifícios
O que é MOSFET?
MOSFET ou FET semicondutor de óxido de metal é uma configuração avançada de FET que tem quatro partes para realizar suas funções. Eles são amplamente usados em chips de memória de computador, como em células de memória semicondutoras de óxido metálico para armazenamento de bits.
Embora o MOSFET siga o princípio básico do FET, ele tem um design mais complicado que também o torna mais eficiente. O MOSFET também é um dispositivo unipolar que funciona nos modos de depleção e realce para amplificar os sinais.
Todos os tipos de MOSFET possuem um isolante de óxido metálico que separa o substrato da comporta. Quando uma tensão é aplicada no terminal do gate, forma-se um canal, devido à força eletrostática, entre o dreno e a fonte que permite a corrente.
O D-MOSFET funciona no modo de depleção onde existe um canal pré-construído e este canal é fechado na aplicação de uma tensão, enquanto o E-MOSFET que funciona no modo de intensificação requer um potencial para criar um canal para o fluxo de corrente. O MOSFET é um FET mais avançado feito para aumentar a resistência do dreno e aplicar impedância de entrada infinita enquanto reduz a corrente de fuga. No entanto, o MOSFET requer manutenção do poço devido ao risco de corrosão associado ao isolador de óxido de metal.
Principais diferenças entre JFET e MOSFET
Conclusão
O JFET e seu sucessor MOSFET são amplamente usados como amplificadores e interruptores em vários campos de aplicação. No entanto, o MOSFET surgiu como transistores mais competentes para serem usados em chips de memória de computador.
A principal diferença entre os dois é que o JFET usa um campo elétrico na junção PN, enquanto o MOSFET utiliza um campo elétrico transversal na camada de óxido de metal embutido para a condutividade elétrica através do substrato.
Outra diferença importante é que o JFET não tem nenhuma camada de óxido de metal para isolamento que o MOSFET possui em seu design e, portanto, o nome Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ou MOSFET foi dado.
JFET é a forma mais básica de FET, enquanto o MOSFET foi projetado para ser mais eficiente e ter menos corrente de vazamento. Isso foi conseguido incorporando a barreira de óxido de metal entre o terminal da porta e o substrato.
Embora o JFET e o MOSFET pertençam à mesma família de transistores, o JFET é muito diferente de seu primo MOSFET, que tem uma resistência de dreno e impedância muito maiores do que o JFET.
A diferença entre JFET e MOSFET os levou a um campo de uso diferente, como JFET é mais usado em amplificadores, retificadores e interruptores, enquanto MOSFET é incorporado em chips de memória de computador por seu alto nível de eficiência.
